SID11x1K
单通道igbt / mosfet门极驱动器，可提供耐压650 v的加强绝缘
应用
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产品
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数据手册
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igbt电压等级
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门极峰值电流（最大）
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最大开关频率
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支持的模块
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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接口类型
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支持的拓扑
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电源电压 (典型)
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隔离类型
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隔离技术
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時間 - 輸出上升
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時間 - 輸出下降
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驱动模式
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主/外围
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并行支持？
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数据表
查看PDF
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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马克斯切换频率
75.0千赫
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支持模块类型
IGBT, n沟道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本有源夹紧，自动软关机，动态自动有源夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(prio侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np箝位- 1型，3级np箝位- 2型，多级np箝位
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电源电压(Typ)
5伏
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隔离型
基本
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量上升
22 ns
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时间-产出下降
18 ns
|
驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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数据表
查看PDF
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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马克斯切换频率
75.0千赫
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支持模块类型
IGBT, n沟道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本有源夹紧，自动软关机，动态自动有源夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(prio侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np箝位- 1型，3级np箝位- 2型，多级np箝位
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电源电压(Typ)
5伏
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隔离型
基本
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量上升
22 ns
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时间-产出下降
18 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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产品详情
SID11x1K是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用功率集成创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其8峰值输出驱动电流可直接驱动600 a(典型值)的开关器件，而无需使用外置推动级。对于超出SID11x1K的最大输出电流的门极驱动要求，可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。
该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。
高度集成，外形紧凑
- 独立的门极开通和关断管脚，可提供8 a峰值驱动电流
- 集成的FluxLink™技术
- 轨到轨输出电压且稳压
- 副方单电源供电
- 适合600v / 650v / 1200v igbt和mosfet功率开关
- 可提供加强绝缘最大耐压650v
- 可提供基本绝缘最大耐压1200v
- 开关频率最高至75kHz
- 传输延迟时间非常短，仅为260 ns
- ±5 ns传输延迟抖动
- -40°c至125℃工作环境温度
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
先进的保护/安全功能
- 原方和副方欠压保护(uvlo)与故障反馈
- 采用VCESAT监控和故障反馈的短路保护
- 高级软关断(assd)
完全符合各项安规要求
- 产品100%进行局部放电测试
- 产品100%进行6 kV有效值1秒的HIPOT合规性测试
- Vde 0884-10加强绝缘认证正在申请中
环保封装
- 无卤素且符合RoHS标准
