SID1183K
8最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1700 V的IGBT和MOSFET提供基本电磁隔离
此产品持续销售中，但不建议用于新设计。
建议选择:
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应用
产品详情
SID1183K是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power integrics ?创新的固体绝缘FluxLink技术实现了电磁隔离。其峰值输出驱动电流可达8 a，在无需任何额外有源器件的条件下，可直接驱动600a以下的开关器件。对于超出sid1183k的最大输出电流的门极驱动要求，可以在外部添加一个推动级。稳定的门极正负电压由一个单绕组隔离电压源提供。
该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),用于原方和副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15 V。
高度集成，外形紧凑
- 独立的门极开通和关断管脚，可提供8 a峰值驱动电流
- 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
- 轨到轨输出稳定的门极电压
- 副方单电源供电
- 适合1700 v igbt和mosfet功率开关器件
- 开关频率最高至75千赫
- 传输延迟时间非常短，仅为260 ns
- 传输延迟抖动为±5ns
- 工作环境温度介于-40℃至125℃之间
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
先进的保护/安全功能
- 原方和副方欠压保护(uvlo)与故障反馈
- 使用二极管或者电阻串来实现vcesat检测功能，并将故障反馈给原方
- 高级软关断(assd)
完全符合各项安规要求
- 产品100%进行局部放电测试
- 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
- 基本隔离符合vde 0884-10标准
环保封装
- 无卤素且符合RoHS标准
