SID1102K
5最大的单通道IGBT、MOSFET门极驱动器,可为耐压1200 v的IGBT和MOSFET提供加强绝缘
应用
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产品
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数据手册
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igbt电压等级
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栅极峰值电流(最大)
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最大开关频率
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支持的模块
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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接口类型
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支持的拓扑
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电源电压 (典型)
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隔离类型
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隔离技术
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時間 - 輸出下降
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時間 - 輸出上升
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驱动模式
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主/外围
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并行支持？
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数据表
查看pdf
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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最大开关频率
75.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
14 ns
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时间-产量上升
29 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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产品详情
SID1102K是采用eSOP宽体封装的单通道IGBT和MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达5a，可直接驱动300a以下的开关器件。5推动级适用于超过的门极驱动器要求,AUXGL和AUXGH输出管脚可驱动60的外部N沟MOSFET道。
控制器(pwm)信号兼容5v cmos逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15v。副方电压��理提供+ 15v至-10v的双极门极驱动器电压，同时只需要一个+ 25v的单极电压。芯片内部的Vee稳压器对+15V门极驱动电压提供调整。欠压保护可关断门极信号，使IGBT或MOSFET保持安全工作。
- IGBT门极驱动器具有更宽,更灵活的应用范围,可驱动1200 v以内的IGBT模块并提供50至3600的IGBT电流。
- 单通道可在不使用推动级的情况下提供5a峰值门极驱动电流
- 外部上管和下管n沟通推动级的辅助输出可将峰值驱动电流增至60a
- 欠压保护
- 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
- 轨到轨输出电压且稳压
- 副方单电源供电
- 适合600v / 650v / 1200v igbt和mosfet功率开关
- 开关频率最高至75kHz
- 传输延迟抖动为±5ns
- 工作环境温度介于-40℃至125℃之间
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
