产品宣传单-碳化硅MOSFET栅极驱动核心600v - 3300 V SiC MOSFET栅极驱动芯(600v - 3300 V)，通过VEE电路(0v - 25v, 0v - 10v)可变栅极电压 查看pdf 下载pdf 产品 2 sc0115t 2 sc0650p 2 sc0535t 2 sc0435t 1 sc2060p
