新日期线上举行:博多的宽禁带半导体论坛

通知：本活动为配合防疫改为线上举行。参会注册表将继续有效，有意向的参会观众可以继续注册。

Bodo的宽禁带半导体论坛是宽禁带半导体领域的年度专家会议，涵盖SiC, GaN和相关主题。该活动已连续5年在德国成功举办，聚集了全球数百名行业专家，分享这一不断发展的技术的最新趋势和成就。得益于市场的快速发展,为了搭建中国电力电子市场更好的技术交流平台,此次博多的宽禁带半导体论坛活动将于12月15日线上举办。

宽禁带(wbg)半导体开关技术现已得到广泛接受，氮化镓和碳化硅解决方案的应用越来越广泛。随着这两种技术的迅猛发展，很多应用开始围绕两者之一优化解决方案。功率集成完全支持使用宽禁带半导体技术,并已发布多款功率开关集成电路产品,其中包含最适合常见应用的初级开关技术。高功率应用如要实现高效率，GaN是正确的选择;高压应用如要实现高效率，SiC则是最佳之选。对于低功率应用，传统硅几乎是通用的绝佳开关技术。

本次演讲将探讨这种”对技术不抱持倾向性”的方法所带来的优势,从而为任何给定应用选择最合适的技术——甘、碳化硅或传统硅。