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8 a a的单通道igbt/mosfet闸极驱动器驱动器

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时间-输出输出
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驱动模式
主/外围
并行支持?
数据表 pdf
IGBT电压类 1200 v
门峰值电流(最大) +5 a
最大开关频率 75.0 kHz
支持的模块类型 IGBT,N通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本的主动夹具,ADV软关闭,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
接口类型 电气
支持的拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳位 - 2型,多级NP挡板
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 基本的
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出上升 22 ns
时间 - 输出下降 18 ns
驾驶模式 直接独立
主/外围 N/A。
并行支持?
数据表 pdf
IGBT电压类 1200 v
门峰值电流(最大) +8 a
最大开关频率 75.0 kHz
支持的模块类型 IGBT,N通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本的主动夹具,ADV软关闭,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
接口类型 电气
支持的拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳位 - 2型,多级NP挡板
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 基本的
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出上升 22 ns
时间 - 输出下降 18 ns
驾驶模式 直接独立
主/外围 N/A。
并行支持?

产品详情

sid11x1k是eSop封装封装单通道通道通道和和和和和驱动器驱动器驱动器电流绝缘绝缘基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于基于绝缘体固态绝缘体固态固态固态固态固态固态固态固态固态固态固态8a a8 a a a的的技术技术技术技术技术技术技术技术sid11x1k的能力极如果。。如果闸闸极极极驱动能力能力实现闸极控制。

采用(assd)的保护(desat),,次和次侧欠压锁闭(uvlo)以及以及以及以及温度和补偿补偿输出输出输出阻抗阻抗的的轨对轨输出条件下能安全运作。

控制器(PWM和故障)讯号5V CMOS逻辑,也也使用外部分压阻器阻器将此此值调整调整调整为为为为为为为为

高度整合占用面积小

  • 分割输出,提供高达8 a的峰值电流
  • 整合式FluxLink™技术
  • 轨对轨稳定输出电压
  • 二次侧供应电压
  • 适用于600V/650 V/1200 V IGBT和MOSFET切换切换开关
  • 1200 V闭锁电压的隔离隔离隔离隔离隔离
  • 75 kHz的的频率频率
  • 260 ns
  • 传播延迟频率(抖动)为±5 ns
  • 工作 -40°C至125°C
  • 高共模模态耐受性
  • Esop封装的与间隔距离达达达达达达达

进阶/安全/安全

  • 一次和次欠压锁闭(UVLO)保护保护故障授授
  • vcesat监测和回授的短路保护
  • 进阶缓关机(ASSD)

绝对安全且法规

  • 100%经过生产测试测试
  • 100%经过6 kV有效值1s条件下生产生产符合性符合性
  • 增强型绝缘符合vde 0884-10标准

绿色环保封装

  • 无卤素,符合rohs标准

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