SID11x1K
최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버
애플리케이션
|
제품
|
데이터시트
|
Igbt전압등급
|
게이트피크전류(최대)
|
최대스위칭주파수
|
지원되는모듈유형
|
논리입력전압
|
보호 기능
|
기술
|
터페이스유형
|
지원되는토폴로지
|
공급전압(일반)
|
격리 유형
|
격리 기술
|
시간-출력상승
|
시간-출력하락
|
드라이브모드
|
메tmp /주변
|
병렬지원?
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
数据表
PDF보기
|
IGBT电压等级
1200 V
|
栅极峰值电流(最大)
+ 5
|
最大开关频率
75.0千赫
|
支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
|
逻辑输入电压
5
|
保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
|
技术
SCALE-iDriver
|
接口类型
电
|
支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
|
供电电压(类型)
5伏
|
隔离型
基本
|
隔离技术
Fluxlink
|
时间-产量上升
22 ns
|
时间-产量下降
18 ns
|
驱动方式
Direct-Independent
|
主要/外围
N/A
|
并联支持吗?
没有
|
|
|
数据表
PDF보기
|
IGBT电压等级
1200 V
|
栅极峰值电流(最大)
+ 8
|
最大开关频率
75.0千赫
|
支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
|
逻辑输入电压
5
|
保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
|
技术
SCALE-iDriver
|
接口类型
电
|
支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
|
供电电压(类型)
5伏
|
隔离型
基本
|
隔离技术
Fluxlink
|
时间-产量上升
22 ns
|
时间-产量下降
18 ns
|
驱动方式
Direct-Independent
|
主要/外围
N/A
|
并联支持吗?
没有
|
제품상세정보
SID11x1K는eSOP패키지의단일채널IGBT및MOSFET드라이버입니다。강화된갈바닉절연성능은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연물FluxLink기술에의해제공됩니다。8 a의피크출력드라이브전류덕분에추가적인부품없이도최대600(기본값)로디바이스를구동하는제품을제작할수있습니다。SID11x1K의단독용량을초과하는게이트드라이브요건의경우,외장증폭기(부스터)를추가할수있습니다。하나의유니폴라절연전압소스가게이트제어를위한안정적인플러스및마이너스전압을제공합니다。
ASSD(高级软关闭)를사용한회로단락보호(DESAT), 1차측및2차측의저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스를갖는轨到轨출력등의추가기능은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。
컨트롤러(PWM및고장)신호는5 v CMOS로직과호환되며,외부저항분배기를사용할경우전압이15 v수준까지조정될수도있습니다。
높은집적도，작은공간
- 출력을분할하여최대8a의피크드라이브전류제공
- 통합FluxLink™기술
- Rail-to-rail정된출력전압
- 2차측을위한유니폴라공급전압
- 600v / 650v / 1200v igbt및mosfet스위치에적합
- 최대1200v블로킹전압의기본절연성능제공
- 최대75kHz스위칭주파수
- 260ns의짧은전파지연시간
- 전파지연지터±5ns
- -40 ~ +125°c의작동주변온도
- 높은커먼모드과도응답내성
- 9.5mm의연면거리및공간거리를갖는eSOP패키지
고급보호및전기능
- 1차측및2차측의저전압록아웃(uvlo)보호와고장피드백
- VCESAT모니터링을통한회로단락보호기능과고장피드백
- 高级软关机
높은전성및규정준수
- 100%생산부분방전테스트
- 6kV RMS/1초에서100%생산HIPOT준수테스트
- Vde 0884-10을충족하는강화된절연성능
친환경패키지
- 할로겐프리및RoHS준수
