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产品
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数据表
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IGBT电压类
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门峰值电流（最大）
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最大开关频率
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支持的模块类型
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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接口类型
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支持的拓扑雷竞技官网网站
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电源电压（典型）
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隔离类型
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隔离技术
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时间 - 输出上升
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时间 - 输出下降
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驾驶模式
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主/外围
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并行支持？
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数据表
查看PDF
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IGBT电压类
1200 v
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门峰值电流（最大）
+5 a
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最大开关频率
75.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
基本的
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出上升
22 ns
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时间 - 输出下降
18 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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数据表
查看PDF
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IGBT电压类
1200 v
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门峰值电流（最大）
+8 a
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最大开关频率
75.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
基本的
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出上升
22 ns
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时间 - 输出下降
18 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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产品详情
SID11X1K是ESOP包中的单个通道IGBT和MOSFET驱动程序。Power Integrations的创新固体绝缘体FluxLink技术提供了增强的电流隔离。8峰值输出驱动器电流使产品能够驱动高达600 A（典型）的设备，而无需任何其他活动组件。对于超过SID11X1K独立功能的栅极驱动要求，可以添加外部放大器（助推器）。一个单极隔离电压源提供了稳定的栅极控制正和负电压。
其他功能，例如带有高级软关闭（ASSD）的短路保护（DESAT），用于初级侧和次要侧面和次要侧面的欠压锁定（UVLO），以及温度和工艺补偿输出阻抗保证即使在恶劣的条件下，安全操作也是如此。
控制器（PWM和故障）信号与5 V CMOS逻辑兼容，该逻辑也可以通过使用外部电阻分隔器调整为15 V级别。
高度集成，紧凑的足迹
- 拆分输出最多可提供8个峰值驱动电流
- 集成FluxLink™技术
- 轨道轨道稳定输出电压
- 次级侧电压电压
- 适用于600 V / 650 V / 1200 V IGBT和MOSFET开关
- 提供高达650 V阻塞电压的加强隔离
- 提供高达1200 V阻塞电压的基本隔离
- 最多75 kHz开关频率
- 低传播延迟时间260 ns
- 传播延迟抖动±5 ns
- -40°C至125°C工作环境温度
- 高公共模式瞬态免疫
- ESOP包装，带9.5毫米蠕变和间隙
高级保护 /安全功能
- 欠压锁定（UVLO）针对初级和次级和故障反馈的保护
- 使用V的短路保护cesat监视和故障反馈
- 高级软关（Assd）
完全安全和法规合规性
- 100％生产部分放电测试
- 100％生产Hipot合规性测试在6 kV RMS 1 s
- 根据VDE 0884-10的增强绝缘材料正在待处理
绿色包裹
- 不含卤素和ROHS
