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SIC118xKQ

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

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시간-출력상승
드라이브모드
数据表 PDF보기
IGBT电压等级 750 V
最大开关频率 150.0千赫
栅极峰值电流(最大) + 8
支持的模块类型 IGBT,碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-产量下降 18 ns
时间-产量上升 22 ns
驱动方式 Direct-Independent
数据表 PDF보기
IGBT电压等级 1200 V
最大开关频率 150.0千赫
栅极峰值电流(最大) + 8
支持的模块类型 IGBT,碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 Adv主动夹紧,动态Adv主动夹紧,短路,UVLO(秒侧),UVLO(pri侧)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np -箝位- 1型,3级np -箝位- 2型,多级np -箝位
供电电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-产量下降 18 ns
时间-产量上升 22 ns
驱动方式 Direct-Independent

제품상세정보

SIC1181KQ및SIC1182KQ는SiC MOSFET용단일채널게이트드라이버입니다。강화된갈바닉절연은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연체FluxLink기술로제공됩니다。최대±8 a피크출력드라이브전류는제품이최대600/800A(일반)의정격전류로장치를구동할수있게합니다。

1차측및2차측에대한저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스를갖는轨到轨출력등의추가기능은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。

또한이,게이트드라이버IC는단일센싱핀을통해AAC향상된액티브클램핑(턴오프단계동안)으로수행되는과전압제한뿐만아니라회로단락보호(턴온단계동안)기능을제공합니다。SIC MOSFET에전류센싱단자가공급되면조정가능한과전류감지가실현될수있습니다。

높은집적도,작은공간

  • ±8a피크게이트출력전류
  • 강화된절연기능을탑재한FluxLink™기술통합
  • SiC MOSFET이최적화된향상된액티브클램핑
  • 초고속회로단락감지
  • Uvlo 1차측및2차측
  • Rail-to-rail정된출력전압
  • 2차측을위한유니폴라공급전압
  • 최대150kHz스위칭주파수
  • 전파지연지터±5ns
  • -40°c ~ +125°c의작동주변온도
  • 높은커먼모드과도응답내성
  • 9.5mm의연면거리및공간거리,CTI 600을갖는eSOP패키지

보호/전기능

  • 고장피드백을포함하는1차측및2차측관련저전압차단기능
  • 전류센싱단자가포함된SiC MOSFET의과전류감지
  • 초고속회로단락모니터링,턴오프및리포팅
  • SiC MOSFET턴오프중과전압제한

높은전성및규정준수

  • 100%생산부분방전테스트
  • 1초동의8000v피크에서100%생산hipot준수테스트
  • 강화된절연기능의vde v 0884-11外公外公대기중
  • Ul 1577승대기중
  • 자동차1등급aec q-100대기중

친환경패키지

  • 할로겐프리및RoHS준수

애플리케이션

  • 전기자동차bev트랙션드라이브
  • 하이브리드전기자동차phev트랙션드라이브
  • 전기자동차온보드및오프보드충전기