제품상세정보
SIC1181KQ및SIC1182KQ는SiC MOSFET용단일채널게이트드라이버입니다。강화된갈바닉절연은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연체FluxLink기술로제공됩니다。최대±8 a피크출력드라이브전류는제품이최대600/800A(일반)의정격전류로장치를구동할수있게합니다。
1차측및2차측에대한저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스를갖는轨到轨출력등의추가기능은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。
또한이,게이트드라이버IC는단일센싱핀을통해AAC향상된액티브클램핑(턴오프단계동안)으로수행되는과전압제한뿐만아니라회로단락보호(턴온단계동안)기능을제공합니다。SIC MOSFET에전류센싱단자가공급되면조정가능한과전류감지가실현될수있습니다。
명세서
최대스위칭주파수 | 150.00千赫 |
Igbt전압등급 | 1200 V |
기술 | SCALE-iDriver |
터페이스유형 | 电 |
채널 수 | 1 |
게이트피크전류(최대) | + 8 |
상품 유형 | 集成电路 |
产品子类型 | 驱动晶片 |
지원되는모듈유형 |
IGBT
碳化硅 |
메tmp /주변 | N/A |
지원되는토폴로지 |
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped |
보호 기능 |
主动夹紧
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side) |
드라이브모드 | Direct-Independent |
논리입력전압 | 5 |
공급전압(일반) | 5.00 V |
시간-출력상승 | 22.00 ns |
시간-출력하락 | 18.00 ns |
격리 기술 | Fluxlink |
격리 유형 | 钢筋 |
게이트피크전류(최소) | 8 |