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SIC118xKQ

单通道SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器具有先进的主动箝位和增强隔离汽车应用雷电竞靠谱吗

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电源电压(类型)
隔离型
隔离技术
时间-输出下降
时间-产量上升
驱动方式
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电压等级 750 V
最大开关频率 150.0千赫
栅极峰值电流(Max) + 8
支持模块类型 IGBT,碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 主动箝位,动态主动箝位,短路,UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np夹紧- 1型,3级np夹紧- 2型,多级np夹紧
电源电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-输出下降 18 ns
时间-产量上升 22 ns
驱动方式 Direct-Independent
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电压等级 1200 V
最大开关频率 150.0千赫
栅极峰值电流(Max) + 8
支持模块类型 IGBT,碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 主动箝位,动态主动箝位,短路,UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
技术 SCALE-iDriver
接口类型
支持拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级np夹紧- 1型,3级np夹紧- 2型,多级np夹紧
电源电压(类型) 5伏
隔离型 钢筋
隔离技术 Fluxlink
时间-输出下降 18 ns
时间-产量上升 22 ns
驱动方式 Direct-Independent

产品详细信息

SIC1181KQ和SIC1182KQ是SiC mosfet的单通道栅极驱动器。增强电流隔离是由Power Integrations公司革命性的固体绝缘体FluxLink技术提供的。高达±8 A的峰值输出驱动电流,使产品能够驱动标称电流高达600 / 800 A(典型)的设备。

其他功能,如一次侧和二次侧欠压锁定(UVLO),以及具有温度和过程补偿输出阻抗的轨对轨输出,即使在恶劣条件下也能保证安全运行。

SIC118xKQ还具有短路保护(在导通阶段和导通阶段),并通过单个传感引脚通过高级有源箝位(在关断阶段)限制过电压。对于具有电流检测端子的SIC mosfet,可以实现可调过电流检测。

高度集成,紧凑的足迹

  • ±8a峰值栅极输出电流
  • 集成FluxLink™技术可加强隔离
  • SiC MOSFET优化先进有源箝位
  • 超快短路检测
  • UVLO主次侧
  • 轨对轨稳定输出电压
  • 二次侧单极电源电压
  • 开关频率高达150khz
  • 传播延迟抖动±5 ns
  • 工作环境温度为-40℃~ +125℃
  • 高共模瞬态抗扰度
  • eSOP包9.5毫米爬电和间隙,CTI 600

保护/安全特性

  • 一次和二次侧欠压闭锁保护,包括故障反馈
  • 带电流检测终端的SiC mosfet过流检测
  • 超快的短路监测、关断和报告
  • 高级有源箝位(AAC)在SiC MOSFET关断期间提供过电压限制

完全安全和法规遵从性

  • 100%生产局部放电试验
  • 在8000v峰值下进行1 s的100%生产HIPOT符合测试
  • 增强绝缘正在等待VDE V 0884-11认证
  • UL 1577认可
  • AEC Q-100汽车等级一级合格

绿色的包

  • 无卤素,符合RoHS标准

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  • 电动汽车BEV牵引驱动
  • 混合动力电动汽车PHEV牵引驱动
  • 电动汽车车载和车载充电器