SIC1182K
最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘
应用
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产品
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数据手册
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IGBT电压等级
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最大开关频率
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Gate Peak Current (Max)
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主/外围
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支持的模块
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逻辑输入电压
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保护功能
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技术
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支持的拓扑
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接口类型
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电源电压 (典型)
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隔离类型
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Isolation Technology
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時間 - 輸出下降
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時間 - 輸出上升
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驱动模式
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并行支持？
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Data Sheet
查看PDF
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Max Switching Frequency
150.0 kHz
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Gate Peak Current (Max)
+8 A
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Main/Peripheral
N/A
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Supported Module Type
Silicon Carbide
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Logic Input Voltage
5
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Protection Features
Adv Active Clamping, Dynamic Adv Active Clamping, Short Circuit, UVLO(Sec-side), UVLO(Pri-side)
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Technology
SCALE-iDriver
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Supported Topologies
2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
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Interface Type
Electrical
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Supply Voltage (Typ)
5 V
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Isolation Type
Reinforced
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Isolation Technology
Fluxlink
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Time - Output Fall
18 ns
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Time - Output Rise
22 ns
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Driving Mode
Direct-Independent
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Paralleling Support?
No
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产品详情
SIC1182K是采用eSOP-R16B封装的单通道SiC MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A，可直接驱动600A（典型值）以下的开关器件。
该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。
此外，这款门极驱动器IC还具有一项新特性 —— 高级有源钳位（关断时），可通过一个检测管脚同时提供短路保护（开通时和开通过程中）和过压限制。如果所驱动的半导体提供电流检测端子，则支持可调过流检测。
高度集成，外形紧凑
- 适合600V/650V/1200V SiC MOSFET功率开关
- ±8A峰值门极输出电流
- 集成的FluxLink™技术提供加强绝缘
- 高级有源钳位功能
- 原方和副方欠压保护(UVLO)
- 过流故障关断
- 短路故障关断
- 轨到轨输出电压且稳压
- 副方单电源供电
- 开关频率最高至150kHz
- ±5ns传输延迟抖动
- -40℃至+125℃工作环境温度
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
保护/安全特性
- 原方和副方欠压保护（包括故障反馈）
- 电流检测端子可提供SiC MOSFET过流检测
- 超快速短路检测
- 关断过压限制（高级有源钳位）
完全符合各项安规要求
- 产品100%进行局部放电测试
- 产品100%进行HIPOT合规性测试
- 加强绝缘VDE 0884-10认证
- UL 1577认证正在申请中
环保封装
- 无卤素且符合RoHS标准
应用
- 通用变频器和伺服驱动器
- UPS、光伏逆变器(PV)、电焊机和电源
- 其他工业应用
