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SIC1182K

多达8个单个通道SIC MOSFET门驱动器,可提供先进的主动夹紧和增强隔离,最高1200 V

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数据表
IGBT电压类
最大开关频率
门峰值电流(最大)
主/外围
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接口类型
电源电压(典型)
隔离类型
隔离技术
时间 - 输出下降
时间 - 输出上升
驾驶模式
并行支持?
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IGBT电压类 1200 v
最大开关频率 150.0 kHz
门峰值电流(最大) +8 a
主/外围 N/A。
支持的模块类型 碳化硅
逻辑输入电压 5
保护功能 ADV主动夹紧,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
支持的拓扑雷竞技官网网站 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳位 - 2型,多级NP挡板
接口类型 电气
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 加强
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出下降 18 ns
时间 - 输出上升 22 ns
驾驶模式 直接独立
并行支持?

产品详情

SIC1182K是用于SIC MOSFET的ESOP-R16B软件包中的单个通道栅极驱动程序。Power Integrations的革命性固体绝缘体通量技术提供了增强的电隔离。高达±8 A峰值输出驱动电流使产品能够驱动高达600 A(典型)的名义电流的设备。

其他功能,例如用于初级和次级和辅助轨道输出的欠压锁定(UVLO),并具有温度和过程补偿的输出阻抗,即使在恶劣的条件下也可以保证安全操作。

此外,该栅极驱动器IC具有新的功能,高级主动夹具(在关闭阶段),结合了短路保护(在转弯阶段和转交阶段)以及通过单个传感引脚组合过电压限制。如果驱动的半导体提供了电流式末端,则支持可调节的过电流检测。

高度集成,紧凑的足迹

  • 适用于600 V / 650 V / 1200 V SIC MOSFET开关
  • ±8峰门输出电流
  • 集成FluxLink™技术提供加强隔离
  • 先进的主动夹具
  • UVLO初级和次级
  • 过度电流断开
  • 短路电流断开
  • 轨道轨道稳定输出电压
  • 次级侧电压电压
  • 最多150 kHz开关频率
  • 传播延迟抖动±5 ns
  • -40°C至+125°C工作环境温度
  • 高公共模式瞬态免疫
  • ESOP包装,带9.5毫米蠕变和间隙

保护 /安全功能

  • 主要和次要侧的欠压锁定保护包括故障反馈
  • 具有电流态端子的SIC MOSFET的过度检测
  • 超快短路监控
  • 关闭过电压限制(高级主动夹紧)

完全安全和法规合规性

  • 100%生产部分放电测试
  • 100%生产Hipot合规性测试
  • 加固绝缘,VDE V 0884-10认证
  • UL 1577认可未决

绿色包裹

  • 不含卤素和ROHS

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  • 通用和伺服驱动器
  • UPS,PV,焊接逆变器和电源
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