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SCALE-iDriver ICs

SCALE-iDriver系列栅极驱动器ic,针对驱动igbt、传统mosfet和SiC mosfet进行了优化,是将Power integrics开创性的FluxLink磁感应双向通信技术应用于1200 V和1700 V驱动器的首个产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统复杂性
  • 先进的系统安全性以及保护功能,常见于中高压应用,增强产品可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新的eSOP方案漏电9.5 mm,比较跟踪指数(CTI) = 600,确保了大量的工作电压裕量和高系统可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动ic可提供最高的峰值输出栅极电流,无需外部升压级,并可配置为支持不同的栅极驱动电压,以匹配当今SiC mosfet的要求范围
  • AEC-Q100合格汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver集成电路可以驱动高达8A @ 125°C的结温,并支持600、650、750和1200V IGBT和SiC逆变器设计,最高可达数百kW,无需升压级

Power integration谈到了SCALE-iDriver

产品
产品
数据表
描述
最大击穿电压
电源开关
SCALE-iDriver SIC1182K in sop - 24d封装
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

多达8个单通道SiC MOSFET栅极驱动器,提供先进的主动夹持和增强隔离,最高可达1200v

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多达8个单通道SiC MOSFET栅极驱动器,提供先进的主动夹持和增强隔离,最高可达1200v

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SIC118xKQ in sop - 24d封装
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有先进的主动夹紧和增强隔离,适用于汽车应用雷电竞靠谱吗

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单通道SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有先进的主动夹紧和增强隔离,适用于汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SID1102K InSOP-24D封装
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

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多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x1K in sop - 24d封装
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器提供增强电隔离高达650 V阻塞电压

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单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器提供增强电隔离高达650 V阻塞电压

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x2K in sop - 24d Package
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

具有先进安全保护功能的电隔离单通道门驱动器ic

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具有先进安全保护功能的电隔离单通道门驱动器ic

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11xxKQ in sop - 24d封装
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,增强隔离,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

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单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器,增强隔离,用于汽车应用雷电竞靠谱吗

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET