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SCALE-iDriver ICs

SCALE-iDriver家族门驱动器集成电路,优化驱动igbt,传统mosfet和SiC场效电晶体,是第一个产品带电源集成的开创性FluxLink magneto-inductive双向通信技术1200 V和1700 V驱动程序的应用程序。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术不需要短暂的光电和相关补偿电路,从而提高操作稳定性,同时降低系统的复杂性
  • 先进的系统安全和保护功能,通常能在中期和高压应用,提高产品的可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新eSOP计划功能9.5毫米的蠕变和比较跟踪指数(CTI) = 600,确保实质性操作电压幅度,系统可靠性高
  • 碳化硅(SiC)的MOSFET门驱动器ICs提供可用的最高峰值功率门当前没有外部刺激阶段,可以配置为支持不同的栅极驱动电压匹配需求的范围出现在今天的SiC mosfet
  • AEC-Q100合格为汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver ICs可以抬高8 @ 125°C的结温,和支持600年、650年、750年和1200 v IGBT和SiC逆变器设计到几百千瓦没有升压阶段

功率集成谈到SCALE-iDriver

产品
产品
数据表
描述
最大击穿电压
电源开关
SCALE-iDriver SIC1182K InSOP-24D包
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

8单通道SiC MOSFET栅极驱动程序提供先进的主动夹紧和强化隔离1200 V

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8单通道SiC MOSFET栅极驱动程序提供先进的主动夹紧和强化隔离1200 V

最大击穿电压600 V、1200 V 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SIC118xKQ InSOP-24D包
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器与先进的主动夹紧和钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗

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单通道SiC MOSFET和IGBT门驱动器与先进的主动夹紧和钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗

最大击穿电压750 V、1200 V 电源开关SiC MOSFET
SCALE-iDriver SID1102K InSOP-24D包
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

5单通道IGBT / MOSFET栅极驱动程序提供了隔离1200 V IGBT、MOSFET

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5单通道IGBT / MOSFET栅极驱动程序提供了隔离1200 V IGBT、MOSFET

最大击穿电压600 V、1200 V 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x1K InSOP-24D包
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

单通道IGBT / MOSFET栅极驱动提供钢筋电隔离闭锁电压650 V

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单通道IGBT / MOSFET栅极驱动提供钢筋电隔离闭锁电压650 V

最大击穿电压650 V、1200 V 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11x2K InSOP-24D包
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

通电的孤立的单通道门驱动器集成电路与高级安全与保护功能

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通电的孤立的单通道门驱动器集成电路与高级安全与保护功能

最大击穿电压600 V、1200 V 电源开关IGBT、MOSFET
SCALE-iDriver SID11xxKQ InSOP-24D包
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

单通道IGBT / MOSFET栅极驱动与钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗

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单通道IGBT / MOSFET栅极驱动与钢筋为汽车应用程序隔离雷电竞靠谱吗

最大击穿电压600 V、1200 V 电源开关IGBT、MOSFET