LQA10N200C
뛰어난emi동작동작패스트실리콘다이오드다이오드
- vRRM-150 V，200 V，300 V，600 V
- 我F（AVG）-3 a -40 a
- 问RR-5 NC -61 NC
애플리케이션
제품상세정보
qspeed다이오드는실리콘중Q QRR이가장제품입니다。이제품버리을통해효율성증대시켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며켰으며절감하고하고스너버를사용사용하지않아도않아도되는되는것이특징입니다입니다입니다입니다입니다입니다
제품특징
특징
- 낮은QRR，낮은RRM，낮은tRR
- diF/dt가능（1000a/µs）
- 소프트리커버리
장점
- 효율성증가
- 스너버회로불필요
- emi필터사이즈＆수감소
- 매우빠른스위칭가능
애플리케이션
- 역률（PFC）부스트부스트
- 모터구동회로
- DC-AC인버터
관련정보
poweresim을한Qspeed다이오드다이오드시뮬레이션
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명세서
| 순방향（평균） | 5.00 a |
| 역회복（최대） | 200.00V |
| IC패키지 | TO-252DPAK |
| 장착유형 | 通过洞 |
| 작동（최소） | -55°C |
| 작동（최대） | 150°C |
| 产品子类型 | 二极管 |
