EDN:PI的营销副总裁道格·贝利(Doug Bailey)讨论了Innoswitch技术的发展。
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Innoswitch™-CH家族在单个表面上安装的离线反式反式切换器IC中结合了主要,次要和反馈电路。Innoswitch-CH IC融合了主要的FET,主要侧面控制器和次级同步整流控制器。新的IC还包括一项创新的新技术FluxLink™,该技术安全地桥接了隔离屏障并消除了对OptoCoupler的需求。辅助侧控制器的合并能够在提供快速的瞬态响应时进行射击同步纠正FET驱动器,超过了全球范围内的所有效率标准,包括《行为守则》第5版和DOE版本6法规。
产品亮点
高度集成,紧凑的足迹
- 合并反式控制器,650 V MOSFET,
次级传感和同步矫正
- 集成,Hipot分离的反馈链接
- 出色的CV/CC精度,独立于变压器设计或外部组件
- 瞬时瞬态响应±5%CV
0-100-0%加载步骤
ECOSMART™ - 节能效率
- <10 mw no-load @ 230 VAC带有可选偏置绕组
- 轻松符合所有全球能源效率法规,包括DOE 6/COC V5
- 低热量耗散
高级保护 /安全功能
- 带有可选偏置绕组的主要感知输出OVP
- 次级感应的输出过冲夹
- 次级感知的输出OCP至零输出电压
- 滞后热关闭
- 725 V电源MOSFET
完全安全和法规合规性
- 100%生产Hipot合规性测试
在6 kV DC/1秒
- 加固的绝缘材料
- 隔离电压= 3,500 VAC UL1577和TUV(EN60950,EN62368)安全批准的EN61000-4-8(100 A/m)和EN61000-4-9(1000 A/M)
绿色包裹
雷电竞靠谱吗
- 智能移动设备的充电器和适配器
- LED照明
- 高效率,低压,高电流电源