製品詳細
SID11x1Kは、eSOPパッケージに組み込まれたシングルチャンネルIGBT及びMOSFETドライバです。強化絶縁は、电力集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。8 Aのピーク出力ドライブ電流により,アクティブ部品を追加せずに最大600(標準)までのデバイスを駆動できます。SID11x1K単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は,外部アンプ(ブースター)を追加することもできます。ゲト制御のための安定した正負の電圧は，絶縁された単一電圧によって供給されます。
アドバンストソフトシャットダウン(ASSD)を含む短絡保護(DESAT),一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ(PWMと異常)信号は5 V CMOSロジックに対応し,外部の抵抗分割回路を使用すると15 Vレベルに調整することもできます。
仕様
| 最大スッチング周波数(kHz) | 75.00千赫 |
| Igbt電圧クラス | 1200 V |
| 技術 | SCALE-iDriver |
| ereplicationンタereplicationフェereplicationスタereplicationプ | 电 |
| チャネル数 | 1 |
| ゲトピク電流(最大) | + 8 |
| 製品タ邮箱プ | 集成电路 |
| 产品子类型 | 驱动晶片 |
| サポトされているモジュルタプ |
IGBT
n沟道MOSFET |
| メ邮箱ン/周辺 | N/A |
| サポトされているトポロジ |
2级电压源
3级np夹紧-类型1
3级np夹紧- 2型
多层次NP-Clamped |
| 保護機能 |
基本主动夹紧
软关机
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side) |
| ドラ邮箱ブモ邮箱ド | Direct-Independent |
| ロジック入力電圧 | 5 |
| 供給電圧 (標準) | 5.00 V |
| 時間-出力の上昇 | 22.00 ns |
| 時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
| 分離技術 | Fluxlink |
| 隔離タ邮箱プ | 基本 |
| ゲトピク電流(最小) | 8 |
