SIC1181KQ
アドバンストアクティブクランプ(AAC)及び最大1200 Vの強化絶縁に対応した最8大の車載用シングルチャンネルシリコンカーバイドMOSFET(原文如此)及びIGBTゲートドライバ
アプリケ,ション
製品詳細
SIC1181KQとSIC1182KQは,SiC MOSFET用のシングルチャネルゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLink技術によって実現されます。最大±8 aの
ピーク出力ドライブ電流により,定格電流一个600/800 (typ)までのデバイスを駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに,このゲートドライバICには,短絡保護(オン期間及びターンオン時)及び1つのセンスピンで実現できるAAC(アドバンストアクティブクランプ)(ターンオフ時)による過電圧制限機能を有します。電流センス端子があるsic mosfetでは,調整可能な過電流検出機能を実現できます。
仕様
最大スepッチング周波数(kHz) | 150.00千赫 |
Igbt電圧クラス | 750 V |
技術 | SCALE-iDriver |
@ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ | 电 |
チャネル数 | 1 |
ゲ、トピ、ク電流(最大) | + 8 |
製品タ@ @プ | 集成电路 |
产品子类型 | 驱动晶片 |
サポトされているモジュルタプ |
IGBT
碳化硅 |
メ▪▪ン/周辺 | N/A |
サポ,トされているトポロジ |
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped |
保護機能 |
主动夹紧
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side) |
ドラ▪▪ブモ▪▪ド | Direct-Independent |
ロジック入力電圧 | 5 |
供給電圧 (標準) | 5.00 V |
時間-出力の上昇 | 22.00 ns |
時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
分離技術 | Fluxlink |
隔離タ@ @プ | 钢筋 |
ゲ、トピ、ク電流(最小) | 8 |