SIC1182K
アドバンストアクティブクランプ(AAC)と1200 Vまでの強化絶縁を提供する最8大のシングルチャンネルシリコンカーバイド(原文如此)MOSFETゲートドライバ
アプリケ,ション
製品詳細
SIC1182Kは,SiC MOSFET向けのシングルチャンネルゲートドライバ(パッケージ:eSOP-R16B)です。強化ガルバニック絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。最大8±のピーク出力ドライブ電流により,最大定格電流600(標準)のデバイ���を駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに,このゲートドライバICには,一つのセンスピンで実現できるアドバンストアクティブクランプ(ターンオフ時)という新機能があり,短絡保護(ターンオン時及びその期間)及び過電圧制限と組み合わせることができます。駆動される半導体に電流センス端子がある場合は,調整可能な過電流検出機能をサポ,トします。
仕様
最大スepッチング周波数(kHz) | 150.00千赫 |
Igbt電圧クラス | 1200 V |
技術 | SCALE-iDriver |
@ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ @ | 电 |
チャネル数 | 1 |
ゲ、トピ、ク電流(最大) | + 8 |
製品タ@ @プ | 集成电路 |
产品子类型 | 驱动晶片 |
サポトされているモジュルタプ | 碳化硅 |
メ▪▪ン/周辺 | N/A |
サポ,トされているトポロジ |
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped |
保護機能 |
主动夹紧
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side) |
ドラ▪▪ブモ▪▪ド | Direct-Independent |
ロジック入力電圧 | 5 |
供給電圧 (標準) | 5.00 V |
時間-出力の上昇 | 22.00 ns |
時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
分離技術 | Fluxlink |
隔離タ@ @プ | 钢筋 |
ゲ、トピ、ク電流(最小) | 8 |