LQA10N200C
뛰어난emi동작의패스트실리콘다이오드
- VRRM- 150v, 200v, 300v, 600v
- 我F (AVG)- 3a - 40a
- 问RR- 5 nC - 61 nC
애플리케이션
제품상세정보
Qspeed다이오드는실리콘다이오드중QRR이가장작은제품입니다。이제품은리커버리특성을통해효율성을증대시켰으며,EMI를절감하고스너버를사용하지않아도되는것이특징입니다。
제품 특징
특징
- 낮은qRR，낮은RRM，낮은tRR
- 높은dIF/dt가능(1000A/µs)
- 소프트리커버리
장점
- 효율성가
- 스너버회로불필
- 百代필터부품사이즈&수감소
- 매우빠른스위칭가능
애플리케이션
- 역률보정(pfc)부스트다이오드
- 모터구동회로
- Dc-ac通讯录버터
관련 정보
PowerEsim을이용한Qspeed다이오드시뮬레이션
파워인테그레이션스는PowerEsim과협력하여Qspeed제품의뛰어난성능시뮬레이션을위한빠르고정확한방법을제공합니다。상세정보는아래의PowerEsim로고를클릭하세。
명세서
| 순방향전류(평균) | 5.00 |
| 역회복전압(최대) | 200.00 v |
| IC패키지 | - 252 dpak |
| 장착 유형 | 通孔 |
| 작동온도(최소) | -55°C |
| 작동온도(최대) | 150°C |
| 产品子类型 | 二极管 |
