驱动SiC MOSFET功率开关

控制SiC MOSFET功率开关与全系列的SCALE栅极驱动器产品

碳化硅(SiC) mosfet显著提高了大功率逆变器应用的开关性能，提供高击穿电场强度和载流子漂移速度，同时增强了热性能。雷电竞靠谱吗然而，SiC要求在更紧凑的设计中实现更快的短路保护，这对需要在不同SiC架构中支持不同电压的栅极驱动器提出了独特的挑战。

比例驱动SiC MOSFET栅极驱动ic

PI的新型SIC1182K SCALE-iDriver IC是一种高效的单通道SiC MOSFET栅极驱动器，可在没有外部升压级的情况下提供最高的峰值输出栅极电流。它可以配置为支持不同的栅极驱动电压，与当今SiC mosfet的要求范围相匹配。

SCALE-2, SCALE-2+栅极驱动内核和SCALE-iDriver栅极驱动ic

除了驱动传统的基于硅的功率器件，如igbt和MOSFET, SCALE-2和SCALE-2+栅极驱动内核，以及SCALE-iDriver栅极驱动ic，能够驱动SiC MOSFET功率开关。

可用的栅极驱动器产品

• SIC1182K- SiC MOSEFT栅极驱动器
• SCALE-iDriver-栅极驱动IC
• 2 sc0115t-12- SCALE-2+驱动核心
• 2 sc0435t-17- SCALE-2+驱动核心
• 1 sc2060p-17- SCALE-2驱动磁芯与平面变压器
• 2 sc0650p-17- SCALE-2驱动磁芯与平面变压器
• 2 sc0535t-17- SCALE-2驱动核心
• 2 sc0635t-45- SCALE-2驱动核心

SiC对栅极驱动器提出了独特的挑战

来自不同供应商和不同代的SiC MOSFET开关对栅极通断电压水平有不同的要求。一些设备能够在15v / - 10v的电压下工作，而其他设备，例如，可以在19v / - 6v的电压下工作。此外，一些设备需要一个可调节的导通电压，而另一些则需要一个可调节的负关断电压，以确保它们不超过栅极源安全工作区域。

为了调整SCALE栅极驱动器以满足不同的要求，与栅极导通和关断水平相关的正、负电压轨的电压划分控制(VEE稳压器)可以被推翻。请参考应用说明AN-1601了解更多详情。

图2。scale - driver支持不同的SiC mosfet，通过调整驱动器来匹配V_GS需求

图3。用标记的VEx / VEE引脚钉接不同的SCALE栅极驱动器

为什么用比例栅极驱动器驱动Sic mosfet ?

通过外部VEE电路可调节栅极电压 <=2 μs短路响应时间 高输出电流能力 高隔离能力 超前主动箝位与dv/dt反馈 高开关频率高达500khz 对于SiC MOSFET击穿电压高达4.5 kV 高MTBF/低FITrate MOSFET模块的并联 适用于所有SiC MOSFET设计

SIC1182K的全面保护特性

SiC高级有源箝位 超快速短路监测 过流故障关断 初级和次级欠压闭锁(UVLO)