SID1102K
多达5个单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器，提供高达1200 V IGBT和MOSFET的增强隔离
애플리케이션
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제품
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데이터시트
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Igbt전압등급
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게이트피크전류(최대)
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최대스위칭주파수
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지원되는모듈유형
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논리입력전압
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보호 기능
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기술
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터페이스유형
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지원되는토폴로지
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공급전압(일반)
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격리 유형
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격리 기술
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시간-출력하락
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시간-출력상승
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드라이브모드
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메tmp /주변
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병렬지원?
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数据表
PDF보기
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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最大开关频率
75.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
14 ns
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时间-产量上升
29 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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제품상세정보
SID1102K是一款单通道IGBT和MOSFET栅极驱动器，采用eSOP宽体封装。Power integrics的创新固体绝缘体FluxLink™技术提供了增强电隔离。高达5 A的峰值输出驱动电流使产品能够驱动额定电流高达300 A的设备。升压级可用于超过5a的栅极驱动器要求，AUXGL和AUXGH输出引脚可驱动外部n通道mosfet达60 A。
控制器(PWM)信号兼容5 V CMOS逻辑，也可以通过使用外部电阻分压器调整到15 V电平。二次侧电压管理提供+15至-10 V的双极栅驱动电压，而只需要+25 V单极电压。+ 15v栅极驱动电压由芯片内部的V型稳压器调节。欠压注销关闭门信号，并保持IGBT或MOSFET在一个安全的操作。
- IGBT栅极驱动器，可广泛灵活地驱动IGBT模块至1200v, IGBT电流50 A至3600a。
- 单通道提供高达5个峰值门驱动电流没有助推器
- 辅助输出外部高和低侧n通道升压级，增加峰值驱动电流高达60A
- 欠压退出
- 集成的FluxLink技术在主端和二级端之间提供安全隔离
- 轨对轨稳定输出电压
- 二次侧单极供电电压
- 适用于600v / 650v / 1200v IGBT和MOSFET开关
- 开关频率高达75千赫
- 传播延迟抖动±5 ns
- 工作环境温度-40℃~ 125℃
- 高共模瞬态抗扰度
- eSOP包装具有9.5毫米漏电和间隙
