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SCALE-iDriver集成电路

SCALE-iDriver™门驱动集成电路家族,为驱动igbt、传统的mosfet和SiC mosfet进行了优化,是Power integration首创的FluxLink磁感应双向通信技术用于1200 V和1700 V驱动应用的首批产品。雷电竞靠谱吗

  • FluxLink技术消除了对短寿命光电子和相关补偿电路的需求,从而提高了操作稳定性,同时降低了系统复杂性
  • 先进的系统安全性和保护功能,通常用于中高压应用,增强产品可靠性雷电竞靠谱吗
  • 创新的eSOP计划爬电9.5 mm,比较跟踪指数(CTI) = 600,保证了较大的运行电压裕量和系统的高可靠性
  • 碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动集成电路在没有外部助推级的情况下可提供最高的峰值输出栅极电流,并可配置为支持不同的栅极驱动电压,以匹配当今SiC mosfet的要求范围
  • AEC-Q100合格汽车应用雷电竞靠谱吗SCALE-iDriver ic可驱动高达8A @ 125°C的结温,并支持600、650、750和1200V的IGBT和SiC逆变器设计,在没有升压级的情况下可高达几百kW

Power integration谈论的是scale - driver

产品
제품
데이터시트
설명
최대항복전압
전원스위치
scale - driver SIC1182K in InSOP-24D Package
SIC1182K
工业图标
电机控制图标
太阳图标
伺服电机图标

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

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향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는최대8 a단일채널SiC MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
scale - driver SIC118xKQ in InSOP-24D Package
SIC118xKQ
场外的图标
牵引逆变器

향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

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향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버

最大击穿电压750v, 1200v 电源开关SiC MOSFET
sop - 24d软件包中的scale - driver SID1102K
SID1102K
交流电机图标
工业图标
太阳图标
伺服电机图标

多达5个单通道IGBT/MOSFET门驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET增强隔离

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多达5个单通道IGBT/MOSFET门驱动器,提供高达1200 V IGBT和MOSFET增强隔离

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的SID11x1K刻度驱动程序
SID11x1K
电机控制图标
伺服电机图标
工业图标

최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

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최대650 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压650v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
标度驱动SID11x2K在InSOP-24D包
SID11x2K
交流电机图标
电机控制图标
伺服电机图标
太阳图标
工业图标

강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

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강화된갈바닉절연성능을갖춘최대8 a의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET
InSOP-24D软件包中的scale - driver SID11xxKQ
SID11xxKQ
场外的图标
牵引逆变器

최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

数据表PDF보기 描述

최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버

最大击穿电压600v, 1200v 电源开关IGBT、MOSFET