最好使用电流探针监视初级侧的排水流，以查看排水电流是否升高到过电流的保护阈值。SR FET破裂或定时使用的SR FET驱动器将实现这一目标。在次级侧监视SR FET驱动器也是一个好主意，以确保SR FET在主开关打开时持续下去。

在测量SR FET期间，电子会损坏。

高电流穿过主要侧并破坏IC。一个新的IC在电子上不起作用。我将等待下一个损坏电子，以进行一些测量。

我得到了另一个具有相同行为的电子。

这次我可以进行一些测量。我没有电流探针来测量主MOSFET的排水电流。

输出同步FET交叉传导事件可能会破坏主开关FET或输出同步FET或两者兼而有之。请分享您的设计文件，包括布局（如果可能的话）。由于布局程序兼容性问题，对于布局而不是Gerber文件，图像文件是可取的。

这里的电源示意图。

如果主要开关破裂，则不应在主侧开关，要么是偏斜的侧面吗？

是的 - 如果主开关短路，则不会有主开关或辅助开关，也可能没有输入保险丝。

监视次级同步整流器上的电压，驱动器信号和同步FET的电压以及主开关波形，以确保没有交叉传导事件，并且输出的排水额定值同步整流器未超过。非最佳PCB布局可能会使交叉降解事件更有可能。