ソリュションファ 技術サポト

SID1152K

優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネルゲトドラIC

アプリケション
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製品詳細

SID11x2Kは,標準eSOPパッケージに組み込まれたシングルチャンネルIGBT及びMOSFETドライバです。強化されたガルバニック絶縁は,功率集成の革新的��固体絶縁FluxLink技術を使用することにより,実現されます。8最大のピーク出力ドライブ電流により,この製品はアクティブコンポーネントの追加を必要とせずに最大600(標準)でデバイスを駆動できます。必要なゲート電流がSID11x2Kの単独で供給可能な性能を超える大電流スイッチング半導体に対しては,外部アンプ(ブースター)を追加することもできます。ゲト制御のための安定した正負の電圧は,単一の単極絶縁電圧ソスによって供給されます。

高度なソフトシャットダウン(ASSD)を含む短絡保護(DESAT),一次側/二次側のための低電圧ロックアウト(UVLO)、温度とプロセスで補正された出力インピーダンスを含むレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ(PWMと異常)信号は5 VのCMOSロジックと互換性があり,外部の抵抗分割回路を使用すると15 Vレベルに調整できます。

仕様

仕様
最大スッチング周波数(kHz) 250.00千赫
Igbt電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
ereplicationンタereplicationフェereplicationスタereplicationプ
チャネル数 1
ゲトピク電流(最大) + 5
製品タ邮箱プ 集成电路
产品子类型 驱动晶片
サポトされているモジュルタプ
IGBT
n沟道MOSFET
メ邮箱ン/周辺 N/A
サポトされているトポロジ
2级电压源
3级np夹紧-类型1
3级np夹紧- 2型
多层次NP-Clamped
保護機能
基本主动夹紧
软关机
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side)
ドラ邮箱ブモ邮箱ド Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間-出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タ邮箱プ 钢筋
ゲトピク電流(最小) 5