sid11x2k
优れたと保护机能を提供ガルバニックされたシングルチャネルチャネルドライバ
アプリケーション
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制品
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データシート
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RDK
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（（（（大大））
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IGBT电圧クラス
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最大スイッチング周波（KHz）
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サポートさているモジュールタイプ
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ロジック入力电圧
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保护机能
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技术
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インターフェイスタイプ
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サポートされいるトポロジ
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供给（标准）
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隔离タイプ
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分离技术
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时间-出力出力
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时间-出力出力上升
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ドライブモード
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メイン/周辺
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并列サポート？
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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数据表
pdfを表示
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RDK
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门峰值电流（最大）
+1 a
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
250.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
|
时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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数据表
pdfを表示
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RDK
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门峰值电流（最大）
+2 a
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
250.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
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时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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数据表
pdfを表示
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RDK
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门峰值电流（最大）
+5 a
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
250.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
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隔离类型
加强
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隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
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时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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数据表
pdfを表示
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RDK
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门峰值电流（最大）
+8 a
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IGBT电压类
1200 v
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最大开关频率
250.0 kHz
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支持的模块类型
IGBT，N通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本的主动夹具，ADV软关闭，动态ADV主动夹紧，短路，UVLO（SEC侧），UVLO（PRI侧）
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技术
比例尺
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接口类型
电气
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支持的拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级NP钳位 - 1型，3级NP钳 - 2型2，多级NP挡板
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电源电压（典型）
5 v
|
隔离类型
加强
|
隔离技术
FluxLink
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时间 - 输出下降
18 ns
|
时间 - 输出上升
22 ns
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驾驶模式
直接独立
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主/外围
N/A。
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并行支持？
不
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制品详细
sid11x2kは标准标准パッケージパッケージ组み込まチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネルチャンネル及び及び及び及び及びドライバドライバです。。强化さされれれた绝縁绝縁绝縁绝縁はは，，，，，，，，，，，，，，のののの革新革新ピーク出力，この制品ははコンポーネントの追加をををを必要必要必要と600 a（标准）でででずずずずずずずずずずず必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要必要（ブーブー）ををを追加も。制御のためためのの安定した正负ののはは，，単一のの単极绝
（assd）をを（desat），/二/二二二次侧のののため低アウトアウト（uvlo），，，，，温度ととプロセスさ补正れれれ追加机能过酷状况においても安全が保证され。。
コントローラ（pWmとと）信号信号ははcmosロジックロジック互换があり，外部の抵抗分割回路回路を使用するするするするするとととととととととする
- 高集积化，小さい面积
- 8 a aピークドライブをする分割出力出力
- 一次と次侧の间にななを提供提供するするする内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵内蔵
- レイルツーレイルの出力电圧
- 二次の単极供给电圧
- 600 v/650 v/1200 vのigbtスイッチスイッチスイッチスイッチスイッチ适适适
- 250 kHzのの数数数
- 260ナノ秒の伝搬时间时间
- ±5ナノ秒伝搬遅延ジッター
- -40℃～125℃の周囲温度温度
- 高いコモンモード耐性
- 9.5毫米の距离と沿面が确保れたたたパッケージ
- 优れ/安全/安全特性
- 一次と次侧の电圧ロック保护（uvlo）ととフィードバックフィードバック
- VCESATの机能异常ダイオード* **チェーン**ををしした
- 高度なソフトダウン（ASSD）
- 安全规格规制に完全准拠准拠
- 100％部分部分试験试験试験试験
- 6 kV rms（1秒）ののでのののののののの
- VDE 0884-10に従っ强化さ绝縁绝縁绝縁
- UL资格取得：E358471
- 比较トラッキング（CTI）= 600
- グリーンパッケージ
- ハロゲン化不，，，指令
