SID11x1K
最大650 Vのブロック電圧で強化絶縁を提供する最8大のシングルチャンネルIGBT、MOSFETゲートドライバ
アプリケション
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製品
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デタシト
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Igbt電圧クラス
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ゲトピク電流(最大)
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最大スッチング周波数(kHz)
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サポトされているモジュルタプ
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ロジック入力電圧
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保護機能
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技術
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ereplicationンタereplicationフェereplicationスタereplicationプ
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サポトされているトポロジ
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供給電圧 (標準)
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隔離タ邮箱プ
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分離技術
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時間-出力の上昇
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時間 - 出力低下
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ドラ邮箱ブモ邮箱ド
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メ邮箱ン/周辺
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並列サポト?
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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最大开关频率
75.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本有源夹紧，自动软关机，动态自动有源夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(prio侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np箝位- 1型，3级np箝位- 2型，多级np箝位
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电源电压(类型)
5伏
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隔离型
基本
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量上升
22 ns
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时间-产出下降
18 ns
|
驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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最大开关频率
75.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本有源夹紧，自动软关机，动态自动有源夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(prio侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np箝位- 1型，3级np箝位- 2型，多级np箝位
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电源电压(类型)
5伏
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隔离型
基本
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量上升
22 ns
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时间-产出下降
18 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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製品詳細
SID11x1Kは、eSOPパッケージに組み込まれたシングルチャンネルIGBT及びMOSFETドライバです。強化絶縁は、电力集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。8A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までのデバイスを駆動できます。SID11x1K 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、絶縁された単一電圧によって供給されます。
アドバンストソフトシャットダウン(ASSD)を含む短絡保護(DESAT),一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ(PWMと異常)信号は5 V CMOSロジックに対応し,外部の抵抗分割回路を使用すると15 Vレベルに調整することもできます。
高集積化，実装スペスの小型化
- 最大8 aピブ電流を供給する分割出力
- 内蔵FluxLink?技術
- レereplicationルereplicationレereplicationルの安定出力電圧
- 二次側に対して単一電圧動作
- 600v / 650v / 1200vのigbtス
- 最大650 vのブロック電圧で強化絶縁を提供
- 最大1200 vのブロック電圧で基本絶縁を提供
- 最大75千赫のス
- 260nsの伝搬遅延時間
- ±5 nsの伝搬遅延ジッタ
- -40℃~ 125℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモド過渡耐性
- 9.5 mmの沿面及び空間距離に対応したeSOPパッケジ
優れた保護/安全特性
- 一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護(uvlo)と異常フィドバック
- VCESATモニタリングと異常フィドバックを使用する短絡保護
- アドバンストソフトシャットダウン(assd)
安全規格及び規制に完全に準拠
- 部分放電試験 100% 対応
- 6 kV有效值(1秒)HIPOT 100%対応
- Vde 0884-10対応の強化絶縁は保留中
グリンパッケジ
- ハロゲン化合物不使用，RoHS指令適合
