SCALE-iDriver集成电路

IGBTとMOSFETとSiC MOSFETの両方を駆動するために最適化されたゲートドライバICのSCALE-iDriverファミリーは,功率集成の先進的なFluxLink磁気誘導双方向通信技術を1200 V及び1700 Vドライバアプリケーションに採用した最初の製品です。

• FluxLink技術を使用すると,寿命の短いオプト電子部品及びそれに関連する補償回路が不要になるため,システムの複雑さを軽減しながら動作上の安定性を向上できます。
• 高度なシステムの安全性と保護機能によって，一般的な中電圧及び高電圧のアプリケションで製品の信頼性がさらに高まります。
• 革新的なeSOPパッケジは,沿面距離が9.5毫米,比較トラッキング指数(CTI) 600とがいう特徴をもち,十分な動作電圧マージン及びシステムの高信頼性を保証します。
• シリコンカバ(SiC) MOSFETゲートドライバICは外部ブーストステージを必要とせず,最高のピーク出力ゲート電流を提供する高効率でシングルチャネルのSiC MOSFETゲートドライバです。現在のSiC MOSFETに必要とされるさまざまなゲートドライブ電圧をサポートするように構成できます。
• Aec-q100認定自動車用のSCALE-iDriver ICジャンクション温度125°Cで最8大のドライブ電流を出力することができ,ブースター回路がなくても,600650750、1200 v IGBT及びSiCを使用した最大数百千瓦のインバータ設計をサポートします。