比例EV
刻度级ev evゲートカーバイドカーバイドカーバイド(Sic)mosfet sosfetとIgbtとシリコンののに対応し,认证取得済み済みデュアルデュアルののプラグアンドプラグアンドプレイプレイです。これらこれら农业を电気,,燃料电池自动车向けの,电力电力のの自动自动自动车车车车车车及び及び及び及びトラクションインバータインバータインバータにににに适し适し适し适し适し适し适し适しててててててててていい基板基板基板です。
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制品
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データシート
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概要
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トポロジー
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最大绝縁电圧
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パワースイッチ
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数据表pdfを表示 | 描述 1200 VのInfineon™EconoDual™17 mm Igbtパワーパワー向けの,,认定认定したプラグアンドプレイ,,デュアルデュアル |
拓扑集成的半桥 | 最大故障电压1200 v | 电源开关IGBT |