LYTSwitch-5
絶縁型および非絶縁型にPFCと定電流出力を組み合わせたワンコンバタ型ledドラバIC
アプリケ,ション
製品
|
製品
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デ,タシ,ト
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出力(最大)-ユニバサル
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絶縁破壊電圧
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保護機能
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力率
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トポロジ
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入力電圧 (最小)
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入力電圧 (最大)
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出力プロファ@ @ル
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icパッケ,ジ
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取付タ@ @プ
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製品タ@ @プ
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動作温度 - 最大
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動作温度 - 最小
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内部ス@ @ッチ
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自動再起動と過電圧応答
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過熱応答
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調光ンタフェス
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制御機能
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数据表
PDFを表示
|
功率-输出(最大,大学)
16 W
|
击穿电压
650 V
|
保护功能
输入过压,输出开环,输出过压,输出欠压,热回缩
|
功率因数
高
|
拓扑结构
Buck-Boost, Flyback, Boost PFC
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
308 V
|
输出配置文件
CC
|
集成电路方案
SO-16B
|
越来越多的类型
面山
|
产品类型
集成电路
|
温度-运行(最高)
150°C
|
温度-操作(Min)
-40°C
|
内部开关
是的
|
自动重启和过压响应
锁了
|
超高温反应
滞后
|
调光接口
是,不是,PWM
|
控制功能
频率抖动,自动重启/闭锁故障响应
|
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数据表
PDFを表示
|
功率-输出(最大,大学)
25 W
|
击穿电压
650 V
|
保护功能
输入过压,输出开环,输出过压,输出欠压,热回缩
|
功率因数
高
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拓扑结构
Buck-Boost, Flyback, Boost PFC
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
308 V
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输出配置文件
CC
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集成电路方案
SO-16B
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越来越多的类型
面山
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产品类型
集成电路
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温度-运行(最高)
150°C
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温度-操作(Min)
-40°C
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内部开关
是的
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自动重启和过压响应
锁了
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超高温反应
滞后
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调光接口
是,不是,PWM
|
控制功能
频率抖动,自动重启/闭锁故障响应
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数据表
PDFを表示
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功率-输出(最大,大学)
9 W
|
击穿电压
725 V
|
保护功能
输入过压,输出开环,输出过压,输出欠压,热回缩
|
功率因数
高
|
拓扑结构
Buck-Boost, Flyback, Boost PFC
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
308 V
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输出配置文件
CC
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集成电路方案
SO-16B
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越来越多的类型
面山
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产品类型
集成电路
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温度-运行(最高)
150°C
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温度-操作(Min)
-40°C
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内部开关
是的
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自动重启和过压响应
锁了
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超高温反应
滞后
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调光接口
是,不是,PWM
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控制功能
频率抖动,自动重启/闭锁故障响应
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数据表
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功率-输出(最大,大学)
16 W
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击穿电压
725 V
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保护功能
输入过压,输出开环,输出过压,输出欠压,热回缩
|
功率因数
高
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拓扑结构
Buck-Boost, Flyback, Boost PFC
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电压-输入(Min)
90 V
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电压-输入(最大)
308 V
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输出配置文件
CC
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集成电路方案
SO-16B
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越来越多的类型
面山
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产品类型
集成电路
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温度-运行(最高)
150°C
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温度-操作(Min)
-40°C
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内部开关
是的
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自动重启和过压响应
锁了
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超高温反应
滞后
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调光接口
是,不是,PWM
|
控制功能
频率抖动,自动重启/闭锁故障响应
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数据表
PDFを表示
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功率-输出(最大,大学)
25 W
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击穿电压
725 V
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保护功能
输入过压,输出开环,输出过压,输出欠压,热回缩
|
功率因数
高
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拓扑结构
Buck-Boost, Flyback, Boost PFC
|
电压-输入(Min)
90 V
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电压-输入(最大)
308 V
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输出配置文件
CC
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集成电路方案
SO-16B
|
越来越多的类型
面山
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产品类型
集成电路
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温度-运行(最高)
150°C
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温度-操作(Min)
-40°C
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内部开关
是的
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自动重启和过压响应
锁了
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超高温反应
滞后
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调光接口
是,不是,PWM
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控制功能
频率抖动,自动重启/闭锁故障响应
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LYTSwitch™5ファミリーはワンコンバータ型PFC定電流领导用途(電球,蛍光灯,バラスト)に最適です。
各デバイスには,高耐圧パワーMOSFETおよび不連続モードで動作させるための,可変周波数,可在時変間制御コントローラが集積されています。コントローラには高速(サイクルバイサイクル)カレントリミット,入力および出力OVP,高度な温度検出回路も備わっています。
ローサイドスイッチングトポロジー,電気的に安定した源ピンによる冷却,および周波数ジッターの組み合わせによって,極めて低いEMIを実現しています。このため,入力フィルタ部が小型化され,音鳴りが大幅に抑制されます。
表1に示されている部品番号は,設計コストを最適化すると同時に,)™スイッチング技術によってデバイスサイズと負荷条件ごとに効率を最大化できる,3つの異なる電力レベルおよび2つのMOSFET電圧オプションを示します。