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scale-2驱动核

驱动核是具备驱动器所有基本功能的基于PCB的驱动模块,这些基本功能包括电气隔离,各种保护,DC / DC电源等。除了驱动核外,客户的PCB上还需包含其他附加元件,如输入接口,门极电阻,有源箝位等,这些元件与驱动核一起构成了完整的IGBT驱动器。IGBT驱动核的隔离电压介于600v到6.5 kV之间，每个通道的功率介于1w到20w之间。它们还适用于驱动功率MOSFET以及其他开关频率可达500kHz的新型半导体器件。

产品
产品	产品描述	最大击穿电压	功率开关
1 sc0450 单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC / DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器	描述单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC / DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器	最大击穿电压4500v, 6500v	电源开关IGBT
1 sc2060p 采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用	描述采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0106t 双通道SCALE-2 +驱动核,最高的集成水平,适用于10至75 kva的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证	描述双通道SCALE-2 +驱动核,最高的集成水平,适用于10至75 kva的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证	最大击穿电压1200 V	电源开关IGBT
2 sc0108t 双通道SCALE-2 +驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8门极电流,2 x 1 W输出功率	描述双通道SCALE-2 +驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8门极电流,2 x 1 W输出功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT
2 sc0115t 适用于90 kW - 500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2 +技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能	描述适用于90 kW - 500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2 +技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能	最大击穿电压1200 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0435t 双通道SCALE-2 +驱动核,适用2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17和2 sc0435t2h0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35一门极电流,2 x 4 W输出功率	描述双通道SCALE-2 +驱动核,适用2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17和2 sc0435t2h0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35一门极电流,2 x 4 W输出功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0535t 用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35一门极电流,2 x 5 W输出功率	描述用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35一门极电流,2 x 5 W输出功率	最大击穿电压3300 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0650p 采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50门极电流,2 x 6 W输出功率	描述采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50门极电流,2 x 6 W输出功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sd300c17 双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容英飞凌的2 ed300c17-s驱动器,30门极电流,2 x 4 W驱动功率	描述双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容英飞凌的2 ed300c17-s驱动器,30门极电流,2 x 4 W驱动功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT