PowiGaN技术
PowiGaN是Power Integrations自行研发的氮化镓(GaN)技术。在π高度集成的离线反激式开关IC中,PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管,从而降低开关损耗,和硅器件相比,PowiGaN产品可实现体积更小,重量更轻,效率更高的充电器、适配器和敞开式电源。
下载白皮书：基于PowiGaN的初级侧电源开关-扩展InnoSwitch3系列IC的功率范围
哪些PI产品采用PowiGaN技术?
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95%,在封闭式适配器不需散热片就可实现高达100 w输出功率。
- InnoSwitch3-CP- 适合需要恒功率输出特性的充电应用
- InnoSwitch3-EP- 适合敞开式环境的电源应用
- InnoSwitch3-Pro- 适合可动态控制电压及电流的电源应用
- InnoSwitch3-PD-适合减少usb pd PPS适配器中的组件数量，具有内置usb pd控制器
- InnoSwitch3-MX-适合领电视，显示器及采用显示器的家电，搭配InnoMux控制器
- InnoSwitch4-CZ- 适合超小型移动设备充电器，搭配ClampZero高频有源钳位IC
- HiperPFS-5——适合功率因数校正(PFC,许多国家/地区要求超过75 W的电源必须包含PFC),与InnoSwitch4-CZ IC或HiperLCS-2芯片组配对
- MinE-CAP—大幅缩小充电器中的电容器尺寸，搭配InnoSwitch3开关IC
- LYTSwitch-6-适合领导照明及镇流器应用
如何使用基于PowiGaN的产品进行设计?
π专家自动电源设计软件同时支持基于硅MOSFET和PowiGaN的器件,协助设计工程师选择最佳组件,并从基本参数输入生成完整的原理图,磁性图和物料清单,从而加快设计过程。
立即使用π专家开始设计。
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请看系列视频：氮化镓(GaN)解密
