SIC118xKQ
향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버
애플리케이션
향상된액티브클램핑및최대1200 v의강화절연을제공하는자동차애플리케이션용최대8 a단일채널SiC MOSFET및IGBT게이트드라이버
SIC1181KQ및SIC1182KQ는SiC MOSFET용단일채널게이트드라이버입니다。강화된갈바닉절연은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연체FluxLink기술로제공됩니다。최대±8 a피크출력드라이브전류는제품이최대600/800A(일반)의정격전류로장치를구동할수있게합니다。
1차측및2차측에대한저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스를갖는轨到轨출력등의추가기능은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。
또한이,게이트드라이버IC는단일센싱핀을통해AAC향상된액티브클램핑(턴오프단계동안)으로수행되는과전압제한뿐만아니라회로단락보호(턴온단계동안)기능을제공합니다。SIC MOSFET에전류센싱단자가공급되면조정가능한과전류감지가실현될수있습니다。