ソリュションファンダ 技術サポ,ト

SIC1181KQ

アドバンストアクティブクランプ(AAC)及び最大1200 Vの強化絶縁に対応した最8大の車載用シングルチャンネルシリコンカーバイドMOSFET(原文如此)及びIGBTゲートドライバ

アプリケ,ション
场外的图标
牵引逆变器

製品詳細

SIC1181KQとSIC1182KQは,SiC MOSFET用のシングルチャネルゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLink技術によって実現されます。最大±8 aの
ピーク出力ドライブ電流により,定格電流一个600/800 (typ)までのデバイスを駆動できます。

一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

さらに,このゲートドライバICには,短絡保護(オン期間及びターンオン時)及び1つのセンスピンで実現できるAAC(アドバンストアクティブクランプ)(ターンオフ時)による過電圧制限機能を有します。電流センス端子があるsic mosfetでは,調整可能な過電流検出機能を実現できます。

仕様

仕様
最大スepッチング周波数(kHz) 150.00千赫
Igbt電圧クラス 750 V
技術 SCALE-iDriver
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チャネル数 1
ゲ、トピ、ク電流(最大) + 8
製品タ@ @プ 集成电路
产品子类型 驱动晶片
サポトされているモジュルタプ
IGBT
碳化硅
メ▪▪ン/周辺 N/A
サポ,トされているトポロジ
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped
保護機能
主动夹紧
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side)
ドラ▪▪ブモ▪▪ド Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間-出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タ@ @プ 钢筋
ゲ、トピ、ク電流(最小) 8