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SCALE-2驱动核心

Power integrics的栅极驱动核心提供了高度灵活的解决方案，包括所有常用的驱动功能，包括电隔离、保护、DC/DC转换器等。igbt的驱动内核具有600V至6500V的阻塞电压能力，以及每个通道1W至20W的阻塞电压能力。它们也适用于驱动功率mosfet和基于新材料(SiC)的器件，工作频率高达500 kHz。

产品
产品	描述	最大击穿电压	电源开关
1 sc0450 单通道SCALE-2驱动核心1SC0450V和1SC0450E，最高集成度，灵活的4.5 kV和6.5 kV栅极驱动器，集成DC/DC变换器和光纤链路	描述单通道SCALE-2驱动核心1SC0450V和1SC0450E，最高集成度，灵活的4.5 kV和6.5 kV栅极驱动器，集成DC/DC变换器和光纤链路	最大击穿电压4500v, 6500v	电源开关IGBT
1 sc2060p 单通道SCALE-2驱动核心与Planar变压器，60 A栅极电流驱动大型IGBT模块并联，20 W输出功率可用于高达500 kHz的高频应用雷电竞靠谱吗	描述单通道SCALE-2驱动核心与Planar变压器，60 A栅极电流驱动大型IGBT模块并联，20 W输出功率可用于高达500 kHz的高频应用雷电竞靠谱吗	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0106t 双通道SCALE-2+驱动核心，37 ~ 110 kVA逆变器最高集成度设计，集成短路软关机功能	描述双通道SCALE-2+驱动核心，37 ~ 110 kVA逆变器最高集成度设计，集成短路软关机功能	最大击穿电压1200 V	电源开关IGBT
2 sc0108t 双通道SCALE-2+驱动核心，最高集成度超紧凑，高品质8A栅极电流，2 × 1w输出功率	描述双通道SCALE-2+驱动核心，最高集成度超紧凑，高品质8A栅极电流，2 × 1w输出功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT
2 sc0115t 最小的IGBT栅极驱动器，适用于90kw - 500kw逆变器，SCALE-2+技术，适用于1200v IGBT驱动器的原电解决方案，高级主动夹持或SSD	描述最小的IGBT栅极驱动器，适用于90kw - 500kw逆变器，SCALE-2+技术，适用于1200v IGBT驱动器的原电解决方案，高级主动夹持或SSD	最大击穿电压1200 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0435t 双通道SCALE-2+驱动核心采用新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17，最高集成度，超紧凑，高品质35a栅极电流，2 × 4w输出功率	描述双通道SCALE-2+驱动核心采用新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17，最高集成度，超紧凑，高品质35a栅极电流，2 × 4w输出功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0535t 用于3.3 kV igbt的双通道SCALE-2驱动芯，集成度高，结构紧凑，高电压，大功率，栅极电流35a，输出功率2 × 5w	描述用于3.3 kV igbt的双通道SCALE-2驱动芯，集成度高，结构紧凑，高电压，大功率，栅极电流35a，输出功率2 × 5w	最大击穿电压3300 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sc0650p 双通道SCALE-2驱动磁芯，采用Planar变压器，集成度最高，大功率高频功率密度最高，栅电流50a，输出功率2 × 6w	描述双通道SCALE-2驱动磁芯，采用Planar变压器，集成度最高，大功率高频功率密度最高，栅电流50a，输出功率2 × 6w	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT, SiC MOSFET
2 sd300c17 双通道SCALE-2驱动核心，最高集成度，Infineon™2ED300C17-S的第二源，30 A门电流和2 x 4 W驱动功率	描述双通道SCALE-2驱动核心，最高集成度，Infineon™2ED300C17-S的第二源，30 A门电流和2 x 4 W驱动功率	最大击穿电压1700 V	电源开关IGBT