SID11xxKQ
최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버
애플리케이션
최대1200 v블로킹전압의강화된갈바닉절연성능을갖춘자동차애플리케이션용최8대의단일채널IGBT、MOSFET게이트드라이버
SID11xxKQ는eSOP패키지의단일채널IGBT및MOSFET드라이버입니다。강화된갈바닉절연성능은파워인테그레이션스(功率集成)의혁신적인고체절연물FluxLink기술에의해제공됩니다。8 a의피크출력드라이브전류덕분에추가적인부품없이도최대600(기본값)로IGBT및MOSFET을구동하는제품을제작할수있습니다。SID11xxKQ의단독용량을초과하는게이트드라이브요건의경우,외장증폭기(부스터)를추가할수도있습니다。하나의유니폴라절연전압소스가게이트제어를위한안정적인플러스및마이너스전압을제공합니다。
ASSD(高级软关闭)를사용한회로단락보호(DESAT), 1차측및2차측의저전압록아웃(UVLO)온도및프로세스보정출력임피던스를갖는轨到轨출력등의추가기능은혹독한상황에서도안전한작동을보장합니다。
컨트롤러(PWM및고장)신호는5 v CMOS로직과호환되며,외부저항분배기를사용할경우전압이15 v수준까지조정될수도있습니다。