SIC118xKQ
アドバンストアクティブクランプ(AAC)及び最大1200 Vの強化絶縁に対応した最8大の車載用シングルチャンネルシリコンカーバイドMOSFET(原文如此)及びIGBTゲートドライバ
アプリケ，ション
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製品
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デ，タシ，ト
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Igbt電圧クラス
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最大スepッチング周波数(kHz)
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ゲ、トピ、ク電流(最大)
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サポトされているモジュルタプ
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ロジック入力電圧
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保護機能
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技術
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サポ，トされているトポロジ
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供給電圧 (標準)
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隔離タ@ @プ
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分離技術
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時間 - 出力低下
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時間-出力の上昇
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ドラ▪▪ブモ▪▪ド
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
750 V
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最大开关频率
150.0千赫
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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支持的模块类型
IGBT，碳化硅
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逻辑输入电压
5
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保护功能
Adv主动夹紧，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
1200 V
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最大开关频率
150.0千赫
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栅极峰值电流(最大)
+ 8
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支持的模块类型
IGBT，碳化硅
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逻辑输入电压
5
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保护功能
Adv主动夹紧，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑雷竞技官网网站
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
18 ns
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时间-产量上升
22 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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製品詳細
SIC1181KQとSIC1182KQは,SiC MOSFET用のシングルチャネルゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は,功率集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLink技術によって実現されます。最大±8 aの
ピーク出力ドライブ電流により,定格電流一个600/800 (typ)までのデバイスを駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに,このゲートドライバICには,短絡保護(オン期間及びターンオン時)及び1つのセンスピンで実現できるAAC(アドバンストアクティブクランプ)(ターンオフ時)による過電圧制限機能を有します。電流センス端子があるsic mosfetでは，調整可能な過電流検出機能を実現できます。
高集積化，コンパクトな実装
- ±8 aのピ，クゲ，ト出力電流
- 強化絶縁を実現する内蔵FluxLink™技術
- SiC MOSFET向けに最適化されたアドバンストアクティブクランプ
- 超高速短絡検出機能
- 一次側及び二次側のuvlo
- レルルの安定出力電圧
- 二次側への供給電圧は1電源にて対応
- 最大150 kHzのスaaplッチング周波数
- ±5 nsの伝搬遅延ジッタ
- -40℃~ +125℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモ，ド過渡耐性
- 9.5 mmの沿面及び空間距離，CTI 600を実現するeSOPパッケ，ジ
保護/安全性
- 異常フィ，ドバックを含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
- 電流センス端子によるSiC MOSFETの過電流検出
- 超高速短絡監視，タ，ンオフ，及びレポ，ト機能
- SiC MOSFETのタ，ンオフ時の過電圧制限
安全規格及び規制に準拠
- 生産ラesc escンでの100%部分放電試験
- 生産ランでの100% hipot (8000 vピク，1秒)準拠試験
- 強化絶縁:vde 0884-11規格認定申請中
- Ul 1577認定申請中
- 自動車グレドレベル1のaec q-100認定申請中
グリ，ンパッケ，ジ
- ハロゲン化合物不使用，RoHS指令適合
用途
- 電気自動車(bev)のトラクションドラescブ
- ハ▪▪ブリッド電気自動車(phev)のトラクションドラ▪▪ブ
- 電気自動車の車載及び車外充電器
