Scale-2 asicチップセット
SCALE-2チップセット- - - - - - IGBT及びパワ场效应晶体管ゲトドラ@ @バの概念の次世代テクノロジ-は,150～3600年,一个、600～6500 vの範囲のIGBTとそのアプリケ，ション向けに最適化されていますが，アプリケ，ション固有の設計に対しても対応できる構成も取りそろえています。ASICは自動車部品認定を受けたBiCMOSウェハ処理ランで製造されているため，高い信頼性を確実に備えています
先進的なアナログ性能と縮小されたデジタル機能サesc escズを組み合わせることで，価格及び性能を最適化します。
概念独自の规模ドラesc escバは世界中で広く使用されており，幅広いアプリケ，ションに対応しています。高集積SCALE-2ゲトドラereplicationバチップセットは，必要なすべての機能を内蔵し，最大60ゲ，ト電流/ 20 w以上のゲ，ト電力に対応しています。プレドラ@ @バステ，ジは主に，独立したタ，ンオン/オフの制御に対応する個別のゲ，ト抵抗を使用することで，外部nタereplicationプDMOS结构素子のダ@ @レクトドラereplicationブに対して最適な性能を発揮するように設計されています。
SCALE-2技術は，二次側ゲトドラereplicationバ(IGD) ASIC及び一次側デュアルチャンネル逻辑到驱动接口ASIC (LDI)などの新しい機能を追加します。
ASIC:ンテリジェントゲトドラereplicationバ(IGD)
プロトタプゲトドラバasicの詳細図を図に示します。様々な半導体を使用して,双方向信号トランスや光ファイバインターフェースのオプションなど,各種標準製品の特定の機能を制御します。Asicはセミカスタムアレaapl .も搭載しているため，さらにカスタマaapl .ズがしやすくなっています。単一のプログラミング金属マスクを通じて，高度な制御オプションを実現できます。セミカスタムアレイには,アナログコンパレータ,論理ゲート,基本的なデバイスやパッドなど,事前に設定されたセルが搭載されます。
IGD ASICは,カスタム固有のゲートエミッタ電圧を設定するオプションで“V字型”ピン(図3を参照)でエミッタ電位を調整することにより,ターンオンとオン時に対し,要求仕様に応じた+ 15 Vゲートエミッタ電圧を供給します。
ASICは,ターンオフ時のIGBTのコレクターエミッタ電圧の上昇率[1]及びクランプレベル[2]双方の閉ループ制御を実現するための回路を組み込んでいます。そのため,アクティブクランププロセスの応答の高速化,ターンオフスイッチング損失の軽減,及び短絡ターンオフ機能の強化を達成できます。
ASIC:論理/ドラereplicationバンタフェス(LDI)
論理/ドラバンタフェスasicの詳細を図2に示します。ASICは,デュアルチャンネル双方向トランス インターフェース、種々なサイズに対応し、専用起動シーケンスを持った各種 DC/DC コンバータ、及び故障管理機能を実装しています。
概念のSCALE-2 IGBTドラ@ @バはASIC技術及び独自のトランス設計を組み合わせることで，その製品全体でUL認定を受けています。
双方向トランスインターフェースは,最小のコマンドディレーを達成するために,コマンド及び異常信号双方を短いシングルパルスで伝送します。信号衝突が発生した場合,パルス期間が長いため,障害信号がコマンド信号,及びdv / dt誘導雑音電流の両方に優先します。非同期障害転送方法では,並列接続されたIGBTまたはマルチレベルのコンバータトポロジの特別なタイミング条件もコントロールできます。これは、異常状態が一次側で1マ▪▪クロ秒もしないう▪▪に明らかになるためです。関連するIGBTがターンオフする前に,要求される異常管理モードによって異常の発生が報告されます。シャットダウンする前の待機時間は，igd asic内で調整できます。トランスを使ったドライバの場合(図3を参照),80年ナノ秒以下の待機時間及び±1ナノ秒のジッターを達成できます。
動作モ，ド
ダ▪▪レクトモ▪ドでは，両方のドラ▪▪バチャンネルをそれぞれ個別に駆動できます。このモードは,最高レベルの柔軟性をお客様に提供するので,高度なマイクロコントローラ支援システムに最適です。ハーフブリッジモードの場合,ASICは共通のコマンド信号として1つの入力のみを使用し,2つの(非反転及び反転)出力を作ります。このモドとデッドタムは，特定の用途のニズに応じて，抵抗一で調整可能です。3.番目のモードは、お客様の要望により、インターロックまたは相互排除のどちらかに事前設定します。
故障管理
一次側では，障害状態はブロッキング時間によって延長される可能性があります。この期間中，関連チャンネルはオフの状態に維持されます。この期間は，一本の抵抗により調整可能で，最小10μsにも設定できます。
システムンテグレ，ション
概念独自のSCALE-2チップセットは,次世代のIGBTドライバシリーズを実装するための中��的な技術となります。先進的アクティブクランプ機能を備えた最大6500 vの高電圧IGBTモジュールに対応するプラグアンドプレイIGBTドライバの概略回路図を図4に示します。このドライバは,ゲートドライバ及びDC / DCコンバータの出力部の両方に対し,外部nタイプDMOS结构素子を使用することで,40 6 wのゲートレベルを達成します。全体的な部品点数は,以前の规模ドライバチップセットに比べて60%以上減り,従来のディスクリート設計と比べるとさらに大幅に削減されます。
